相关证件：
会员类型：
会员年限：12年
Amy 
电话：0755-85257770
标准包装：95
包装类型：管件
RoHS规范：无铅 /环保型
产品系列：HEXFET®
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：50 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：520pF @ 25V
功率 - 值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
温馨提示：
1.产品图片为形象图片，以实物为准；
2.网上报价仅供参考，根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准！
